BD237 (LGE)
Код товару: 126623
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: LGE
Корпус: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
у наявності 401 шт:
255 шт - склад
59 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
38 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.80 грн |
| 100+ | 5.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни BD237 (LGE) LGE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
HT SEMI |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-126 fT: 3 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 589 шт
517 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
| BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: HT SEMI
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 589 шт
517 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.20 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
Інші пропозиції BD237 (LGE) за ціною від 6.06 грн до 64.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | HT SEMI |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 173548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 2703 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 173580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
на замовлення 4335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD237 | STM |
NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| BD237 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.06 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.06 грн |
| BD237 |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 14.47 грн |
| BD237 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 14.47 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 14.85 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 16.46 грн |
| 4000+ | 15.65 грн |
| 10000+ | 14.85 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 173548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 515+ | 27.41 грн |
| 597+ | 23.66 грн |
| 786+ | 17.97 грн |
| 1000+ | 15.01 грн |
| 2000+ | 12.84 грн |
| 4000+ | 11.27 грн |
| 10000+ | 9.81 грн |
| 24000+ | 9.34 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 47.40 грн |
| 16+ | 27.60 грн |
| 18+ | 24.46 грн |
| 50+ | 17.52 грн |
| 100+ | 14.73 грн |
| 500+ | 12.36 грн |
| 1000+ | 11.94 грн |
| 2000+ | 11.77 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 173580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 59.93 грн |
| 28+ | 27.45 грн |
| 100+ | 23.69 грн |
| 500+ | 17.35 грн |
| 1000+ | 13.92 грн |
| 2000+ | 12.35 грн |
| 4000+ | 11.29 грн |
| 10000+ | 9.81 грн |
| 24000+ | 9.35 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.92 грн |
| 50+ | 26.83 грн |
| 100+ | 23.68 грн |
| 500+ | 17.01 грн |
| 1000+ | 15.33 грн |
| 2000+ | 13.91 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.50 грн |
| 12+ | 28.55 грн |
| 100+ | 21.87 грн |
| 500+ | 16.74 грн |
| 1000+ | 15.12 грн |
| 2000+ | 13.64 грн |
| 4000+ | 12.45 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 64.73 грн |
| 28+ | 29.54 грн |
| 100+ | 26.01 грн |
| 500+ | 18.51 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
З цим товаром купують
| BD238 Код товару: 174169
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 41 шт
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.00 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 73893 шт
66751 шт - склад
986 шт - РАДІОМАГ-Київ
4264 шт - РАДІОМАГ-Львів
1566 шт - РАДІОМАГ-Харків
326 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
986 шт - РАДІОМАГ-Київ
4264 шт - РАДІОМАГ-Львів
1566 шт - РАДІОМАГ-Харків
326 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| BD139 Код товару: 191983
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CJ
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 684 шт
529 шт - склад
124 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
124 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.40 грн |
| BZV55-C9V1 Код товару: 1362
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
у наявності: 13333 шт
10863 шт - склад
976 шт - РАДІОМАГ-Київ
366 шт - РАДІОМАГ-Львів
605 шт - РАДІОМАГ-Харків
523 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
976 шт - РАДІОМАГ-Київ
366 шт - РАДІОМАГ-Львів
605 шт - РАДІОМАГ-Харків
523 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano) Код товару: 13787
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 25926 шт
19956 шт - склад
1680 шт - РАДІОМАГ-Київ
1810 шт - РАДІОМАГ-Львів
2480 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1680 шт - РАДІОМАГ-Київ
1810 шт - РАДІОМАГ-Львів
2480 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |










