BF1005SE6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF N-CHANNEL MOSFET
Voltage - Test: 5 V
Voltage - Rated: 8 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT143 (SC-61)
Noise Figure: 1.6dB
Technology: MOSFET
Gain: 22dB
Configuration: N-Channel
Frequency: 1GHz
Current Rating (Amps): 800µA
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF1005SE6327 Infineon Technologies
Description: RF N-CHANNEL MOSFET, Voltage - Test: 5 V, Voltage - Rated: 8 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT143 (SC-61), Noise Figure: 1.6dB, Technology: MOSFET, Gain: 22dB, Configuration: N-Channel, Frequency: 1GHz, Current Rating (Amps): 800µA, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BF1005SE6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BF 1005S E6327 | Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
на замовлення 8054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BF1005SE6327 |
|
на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BF 1005S E6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
на замовлення 8054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)