Технічний опис BFR183WE6327 INFINEON
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 18.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT323.
Інші пропозиції BFR183WE6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BFR183WE6327 | Infineon |
SOT-323 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
BFR 183W E6327 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFR 183W E6327 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| BFR 183W E6327 | STMicroelectronics |
RF Bipolar Transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BFR183WE6327 |
![]() |
Виробник: Infineon
SOT-323 Транзистори
SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFR 183W E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR 183W E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFR 183W E6327 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
RF Bipolar Transistors
RF Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



