BQ4011YMA-200 Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Memory Format: NVSRAM
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BQ4011YMA-200 Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 256Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm), Packaging: Tube, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 32K x 8, Access Time: 200 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 200ns, Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72), Memory Format: NVSRAM.
Інші пропозиції BQ4011YMA-200
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BQ4011YMA-200 | TI |
08+; |
на замовлення 25400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BQ4011YMA-200 |
|
Виробник: TI
08+;
08+;
на замовлення 25400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)