Продукція > BENCHMARQ > BQ4013MA-120
BQ4013MA-120

BQ4013MA-120 Benchmarq

BMRKS00334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Benchmarq
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+1119.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BQ4013MA-120 Benchmarq

Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8), Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 120ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 120 ns, Memory Organization: 128K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції BQ4013MA-120 за ціною від 10014.72 грн до 10014.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BQ4013MA-120 BQ4013MA-120 Texas Instruments BQ4013%28Y%2CLY%29_Rev_Nov_2014.pdf Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10014.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BQ4013MA-120 TI BMRKS00334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BQ4013%28Y%2CLY%29_Rev_Nov_2014.pdf 08+;
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BQ4013MA-120 BQ4013%28Y%2CLY%29_Rev_Nov_2014.pdf
BQ4013MA-120
Виробник: Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+10014.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BQ4013MA-120 BMRKS00334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BQ4013%28Y%2CLY%29_Rev_Nov_2014.pdf
Виробник: TI
08+;
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.