BSD223P INFINEON


BSD223P_040702.pdf
Виробник: INFINEON
05+
на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSD223P INFINEON

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 250mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSD223P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSD223P BSD223P Виробник : Infineon Technologies BSD223P_040702.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.