BSH114,215 NXP
Виробник: NXP
Trans MOSFET N-CH 100V 0.85A 3-Pin TO-236AB BSH114,235 BSH114,215 BSH114 TBSH114
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 43.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH114,215 NXP
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BSH114,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSH114,215 | NXP |
SOT23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
BSH114,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSH114,215 | NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
BSH114,215 | Nexperia |
MOSFET TAPE7 PWR-MO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSH114,215 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.