Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSP19AT1G

BSP19AT1G On Semiconductor

Name: BSP19AT1G
Brand: On Semiconductor
SKU: 467440529-1
Price: 312.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: On Semiconductor
SOT223 Транзистори

на замовлення 5 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	62.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSP19AT1G On Semiconductor

Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Frequency - Transition: 70MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції BSP19AT1G

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BSP19AT1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 70MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	BSP19AT1G	Виробник : onsemi	Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 70MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.