Інші пропозиції BSP52T1G (транзистор біполярный NPN) за ціною від 8.21 грн до 86.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 21080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSP52T1G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 1A 80V Bipolar Power NPN |
на замовлення 14029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSP52T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BSP52T1G | Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
TRANS NPN DARL 1A 80V SOT223 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|