Продукція > NXP > BSS123,215

BSS123,215 NXP


BSS123.pdf
Виробник: NXP
N-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори
на замовлення 1729 шт:

термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
60+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123,215 NXP

Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSS123,215 за ціною від 2.40 грн до 9.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS123,215 BSS123,215 NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 1030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123,215 BSS123,215 NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123,215 BSS123,215 NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123,215 BSS123,215 NEXPERIA BSS123.215.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 42317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.05 грн
81+5.21 грн
104+4.05 грн
500+3.01 грн
1000+2.70 грн
3000+2.49 грн
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123,215 info-tbss123%20nxp.pdf
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 1030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123,215 info-tbss123%20nxp.pdf
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123,215 info-tbss123%20nxp.pdf
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123,215 BSS123.215.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 42317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
50+9.05 грн
81+5.21 грн
104+4.05 грн
500+3.01 грн
1000+2.70 грн
3000+2.49 грн
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.