на замовлення 1729 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS123,215 NXP
Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSS123,215 за ціною від 2.40 грн до 9.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS123,215 | NXP |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXPкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123,215 | NXP |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXPкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS123,215 | NXP |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXPкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 42317 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BSS123,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.14 грн |
| BSS123,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.14 грн |
| BSS123,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.14 грн |
| BSS123,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 42317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.05 грн |
| 81+ | 5.21 грн |
| 104+ | 4.05 грн |
| 500+ | 3.01 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
| 3000+ | 2.49 грн |
| 15000+ | 2.40 грн |




