BSS123-7-F


ds30366.pdf
Код товару: 148378
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS123-7-F за ціною від 1.83 грн до 16.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123-7-F BSS123-7-F Diodes Incorporated ds30366.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 75300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
6000+2.87 грн
9000+2.70 грн
15000+2.35 грн
21000+2.24 грн
30000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F DIODES INCORPORATED BSS123-7-F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
68+6.26 грн
118+3.60 грн
500+2.36 грн
1000+2.23 грн
3000+2.02 грн
6000+1.93 грн
9000+1.88 грн
15000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F DIODES INC. 4553101.pdf Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 229060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.26 грн
130+6.32 грн
500+4.30 грн
1500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F Diodes Incorporated ds30366.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 75465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.61 грн
32+9.68 грн
100+6.00 грн
500+4.12 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F Diodes Incorporated ds30366.pdf MOSFETs 100V 360mW
на замовлення 61539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.90 грн
32+10.27 грн
100+5.56 грн
500+4.08 грн
1000+3.66 грн
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F DIODES INC. 4553101.pdf Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 229060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.90 грн
80+10.26 грн
130+6.32 грн
500+4.30 грн
1500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F Diodes Zetex ds30366.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F ds30366.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 75300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.33 грн
6000+2.87 грн
9000+2.70 грн
15000+2.35 грн
21000+2.24 грн
30000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+10.03 грн
68+6.26 грн
118+3.60 грн
500+2.36 грн
1000+2.23 грн
3000+2.02 грн
6000+1.93 грн
9000+1.88 грн
15000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F 4553101.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 229060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.26 грн
130+6.32 грн
500+4.30 грн
1500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F ds30366.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 75465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.61 грн
32+9.68 грн
100+6.00 грн
500+4.12 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F ds30366.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V 360mW
на замовлення 61539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.90 грн
32+10.27 грн
100+5.56 грн
500+4.08 грн
1000+3.66 грн
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F 4553101.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 229060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+16.90 грн
80+10.26 грн
130+6.32 грн
500+4.30 грн
1500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F ds30366.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.