Інші пропозиції BSS192.115 за ціною від 10.27 грн до 110.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS192,115 | Виробник : Nexperia |
 MOSFETs SOT89 200V 200A |
на замовлення 8235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-89 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm |
на замовлення 12159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|