BSS84 UMW
Код товару: 187507
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: UMW
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Монтаж: SMD
у наявності 2736 шт:
2454 шт - склад
195 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Харків
35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS84 за ціною від 0.68 грн до 56.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS84 | MERRY |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MERкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | HT SEMI |
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMIкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | LGE |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGEкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 11987 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSMкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | Createk Microelectronics |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CREкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | GALAXY |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GALкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXYкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | AnBon |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 216 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | AnBon |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 174 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 17038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84 | Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS84 | HT Jinyu Semiconductor |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YY |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YYкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | REALCHIP |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REAкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SLKOR |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SLKOR |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SHIKUES |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMWкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | UMW |
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | MDD |
Description: MOSFET SOT-23 P Channel 50VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 11905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | UMW |
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | EVVO |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23 |
на замовлення 4799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC |
на замовлення 18981 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 13266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE |
на замовлення 261797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 17038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | Analog Power Inc. |
Description: MOSFET P-CH 50V 0.3A SOT-23Packaging: Bulk Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSS84 |
![]() |
Виробник: MERRY
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MER
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MER
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.68 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.86 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 11987 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.88 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.89 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CRE
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CRE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.95 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: GALAXY
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.10 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.18 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.32 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.32 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.01 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.80 грн |
| 6000+ | 3.72 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.82 грн |
| 6000+ | 3.73 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.05 грн |
| 6000+ | 4.05 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.05 грн |
| 6000+ | 4.05 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1972+ | 7.16 грн |
| 2072+ | 6.81 грн |
| 2181+ | 6.47 грн |
| 2305+ | 5.91 грн |
| 3000+ | 5.17 грн |
| 6000+ | 4.67 грн |
| 15000+ | 4.37 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.11 грн |
| 9000+ | 8.45 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.16 грн |
| 6000+ | 11.12 грн |
| 9000+ | 11.00 грн |
| 12000+ | 10.59 грн |
| 27000+ | 9.33 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 17038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.88 грн |
| 500+ | 10.13 грн |
| 1500+ | 7.95 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 24.15 грн |
| 53+ | 14.42 грн |
| 101+ | 7.50 грн |
| 106+ | 6.90 грн |
| 250+ | 6.08 грн |
| 500+ | 5.55 грн |
| 1000+ | 5.25 грн |
| 3000+ | 4.96 грн |
| 6000+ | 4.67 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 32.51 грн |
| 49+ | 15.38 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 500+ | 8.60 грн |
| 1000+ | 7.04 грн |
| 3000+ | 4.21 грн |
| 6000+ | 3.55 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.35 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10274+ | 1.37 грн |
| 60000+ | 1.20 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YY
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.89 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.92 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.92 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.92 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: REALCHIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REA
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REA
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.99 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.02 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.02 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.12 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.13 грн |
| 6000+ | 1.04 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.24 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.59 грн |
| 6000+ | 1.35 грн |
| 9000+ | 1.26 грн |
| 15000+ | 1.09 грн |
| 21000+ | 1.03 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |
| 6000+ | 2.02 грн |
| 9000+ | 1.89 грн |
| 15000+ | 1.64 грн |
| 21000+ | 1.56 грн |
| 30000+ | 1.48 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.90 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: MDD
Description: MOSFET SOT-23 P Channel 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET SOT-23 P Channel 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12000+ | 4.02 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.98 грн |
| 6000+ | 4.33 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.33 грн |
| 149+ | 2.06 грн |
| 170+ | 1.80 грн |
| 205+ | 1.40 грн |
| 250+ | 1.26 грн |
| 500+ | 1.18 грн |
| 1000+ | 1.09 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: 50V 130MA 10@5V,100MA 200MW 2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 7.91 грн |
| 63+ | 4.88 грн |
| 103+ | 2.98 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Description: 50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 7.91 грн |
| 62+ | 4.95 грн |
| 70+ | 4.39 грн |
| 100+ | 3.46 грн |
| 250+ | 3.15 грн |
| 500+ | 2.97 грн |
| 1000+ | 2.77 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: EVVO
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.29 грн |
| 50+ | 6.09 грн |
| 100+ | 3.73 грн |
| 500+ | 2.53 грн |
| 1000+ | 2.22 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.87 грн |
| 44+ | 7.01 грн |
| 100+ | 4.33 грн |
| 500+ | 2.95 грн |
| 1000+ | 2.59 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
на замовлення 18981 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 21.88 грн |
| 33+ | 13.12 грн |
| 100+ | 7.74 грн |
| 500+ | 5.53 грн |
| 1000+ | 4.85 грн |
| 3000+ | 4.01 грн |
| 6000+ | 3.61 грн |
| 9000+ | 3.40 грн |
| 15000+ | 3.18 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 13266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.53 грн |
| 21+ | 14.86 грн |
| 100+ | 9.32 грн |
| 500+ | 6.48 грн |
| 1000+ | 5.75 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
на замовлення 261797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.09 грн |
| 23+ | 14.64 грн |
| 100+ | 8.30 грн |
| 500+ | 6.47 грн |
| 1000+ | 5.77 грн |
| 3000+ | 4.50 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 17038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 35.20 грн |
| 56+ | 14.85 грн |
| 100+ | 12.88 грн |
| 500+ | 10.13 грн |
| 1500+ | 7.95 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 0.3A SOT-23
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET P-CH 50V 0.3A SOT-23
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.17 грн |
| 10+ | 32.53 грн |
| 100+ | 20.71 грн |
| 500+ | 17.49 грн |
| 1000+ | 15.72 грн |
| 3000+ | 13.36 грн |
З цим товаром купують
| IRLML5203TRPBF Код товару: 25596
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1601 шт
1366 шт - склад
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
66 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
66 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 3.80 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| BAT54S Код товару: 151482
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JCST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOT-23
Зворотня напруга, Vrrm: 30 V
Прямий струм (per leg), If: 0,2 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне включення, струм 0,2 А на діод.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SOT-23
Зворотня напруга, Vrrm: 30 V
Прямий струм (per leg), If: 0,2 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, послідовне включення, струм 0,2 А на діод.
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 0,6 A
товару немає в наявності
очікується:
9000 шт
9000 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.95 грн |
| 1000+ | 0.72 грн |
| Тримач запобіжника 5x20мм на плату, з кришкою KLS5-242 Код товару: 56675
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Тримачі запобіжників
Групування: Плавка вставка
Опис: Тримач запобіжника 5,2х20мм на плату повністю закривається пластиковий; 6A, 250VAC
Габарити: 24,5х9,8х10,7 mm (Д, Ш, В)
Монтаж: На плату
Струм: 6 A
Під розмір запобіжника: 5,2х20 mm
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Тримачі запобіжників
Групування: Плавка вставка
Опис: Тримач запобіжника 5,2х20мм на плату повністю закривається пластиковий; 6A, 250VAC
Габарити: 24,5х9,8х10,7 mm (Д, Ш, В)
Монтаж: На плату
Струм: 6 A
Під розмір запобіжника: 5,2х20 mm
у наявності: 1097 шт
993 шт - склад
104 шт - РАДІОМАГ-Київ
104 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.00 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| ST485BDR Код товару: 18145
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: SO-8
Характеристики: Buffers & Line Drivers Hi-Spd Lo Pwr Trans
Живлення: 4,75…5,25
Темп.діапазон: -40…85°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: RS422; RS485
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: SO-8
Характеристики: Buffers & Line Drivers Hi-Spd Lo Pwr Trans
Живлення: 4,75…5,25
Темп.діапазон: -40…85°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: RS422; RS485
у наявності: 823 шт
763 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
33 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
33 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26.50 грн |
| 10+ | 23.80 грн |
| 100+ | 20.40 грн |
| Клемник 15EDGRC-3.5-06P-14-00Z(H) Код товару: 19776
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Degson
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Кутовий клемник. крок: 3,5мм, к-сть контактів: 06P, напруга/струм: 300V/8A
Крок, мм: 3,5 mm
К-сть контактів: 6
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Клемники
Короткий опис: Кутовий клемник. крок: 3,5мм, к-сть контактів: 06P, напруга/струм: 300V/8A
Крок, мм: 3,5 mm
К-сть контактів: 6
Тип роз’єму: Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 8 А
у наявності: 1395 шт
1046 шт - склад
154 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
51 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
154 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
51 шт - РАДІОМАГ-Харків
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |


















