Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F

ds30380.pdf
Код товару: 177913
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS8402DW-7-F за ціною від 5.80 грн до 51.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Diodes Incorporated ds30380.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
6000+7.20 грн
9000+6.83 грн
15000+6.02 грн
21000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 515500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+19.84 грн
500+14.90 грн
1000+12.86 грн
3000+8.05 грн
6000+7.37 грн
9000+7.01 грн
15000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 515500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F DIODES INC. 3732005.pdf Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.05 грн
500+13.52 грн
1500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F DIODES INCORPORATED BSS8402DW-7-F.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.55 грн
18+24.01 грн
50+16.46 грн
100+13.91 грн
500+9.84 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Diodes Incorporated ds30380.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
14+21.91 грн
100+13.93 грн
500+9.82 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Diodes Incorporated ds30380.pdf MOSFETs 60 / -50V 200mW
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.03 грн
14+24.64 грн
100+13.53 грн
500+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F DIODES INC. 3732005.pdf Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.98 грн
50+33.06 грн
100+21.05 грн
500+13.52 грн
1500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+51.66 грн
250+51.55 грн
500+51.44 грн
1000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F Diodes Zetex ds30380.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F Vishay Semiconductor BSS8402.pdf Транзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F DIODES/ZETEX ds30380.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F ds30380.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.22 грн
6000+7.20 грн
9000+6.83 грн
15000+6.02 грн
21000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F ds30380.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 515500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
475+19.84 грн
500+14.90 грн
1000+12.86 грн
3000+8.05 грн
6000+7.37 грн
9000+7.01 грн
15000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F ds30380.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 515500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
713+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F 3732005.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+21.05 грн
500+13.52 грн
1500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402DW-7-F.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-50V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-50V
Drain current: 0.115/-0.13A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10/13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+36.55 грн
18+24.01 грн
50+16.46 грн
100+13.91 грн
500+9.84 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F ds30380.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 24143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.27 грн
14+21.91 грн
100+13.93 грн
500+9.82 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F ds30380.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60 / -50V 200mW
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+41.03 грн
14+24.64 грн
100+13.53 грн
500+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F 3732005.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 10ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.98 грн
50+33.06 грн
100+21.05 грн
500+13.52 грн
1500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F ds30380.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
183+51.66 грн
250+51.55 грн
500+51.44 грн
1000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F ds30380.pdf
BSS8402DW-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
274+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F BSS8402.pdf
Виробник: Vishay Semiconductor
Транзистор польовий N+P, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,25, Udss, В = 60, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 @ 250 мкА, Id2 = 115 мА,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS8402DW-7-F ds30380.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; BSS8402DW-7-F BSS8402DW TBSS8402DW
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.