BST62,115

BST62,115 Nexperia


BST60_61_62.pdf
Виробник: Nexperia
Darlington Transistors BST62/SOT89/MPT3
на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.43 грн
11+29.63 грн
100+17.04 грн
500+13.20 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BST62,115 Nexperia

Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.3 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BST62,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BST62,115 Виробник : NXP BST62_115.pdf PNP 1.0A 80V SOT-89 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BST62,115 Виробник : NXP/Nexperia/We-En BST60_61_62_NXP.pdf Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,3, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 200, hFE = 2000 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,3 @ 500 мкA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BST62,115 BST62,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BST60_61_62.pdf Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BST62,115 BST62,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BST60_61_62.pdf Description: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.