Продукція > NEXPERIA USA INC. > BST82,215
BST82,215

BST82,215 Nexperia USA Inc.

BST82.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BST82,215 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BST82,215 за ціною від 19.25 грн до 19.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BST82,215 Виробник : NXP BST82.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST82.215; BST82,235; BST82 TBST82
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.