BU508AW (транзистор біполярный NPN) NXP
Код товару: 1971
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: NXP
Корпус: TO-247
fT: 4 MHz
Uceo,V: 1500 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 8 A
h21: 30
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BU508AW (транзистор біполярный NPN) за ціною від 83.09 грн до 292.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BU508AW | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BU508AW | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BU508AW | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BU508AW | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 700V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BU508AW | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 8A; 125W; TO247-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 700V Collector current: 8A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 427 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BU508AW | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 700V 8A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Power - Max: 125 W |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BU508AW | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BU508AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 700 V, 8 A, 125 W, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BU508AW | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|