BYV26E-TAP NXP
Код товару: 26386
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: NXP
Корпус: SOD-57
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BYV26E-TAP за ціною від 18.77 грн до 177.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Ultrafast 1.0A 1000V 75ns SOD-57 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 723 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 30A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.3V Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 0.1mA |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 6920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 6920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYV26E-TAP - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 25025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD 57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
BYV26E-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-57 Ammo |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Виробник : Vishay Semiconductor |
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний, Uзвор, В = 1 000, Io, А = 1, Uf (max), В = 2,5, If, A = 1, I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1000, trr, нс = 75, Тексп, °C = -55...+175,... Діоди Корпус: SOD-57 Очікується: 3475 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|