| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.30 грн |
| 10+ | 107.56 грн |
| 100+ | 81.58 грн |
| 500+ | 65.33 грн |
| 1000+ | 55.21 грн |
| 5000+ | 53.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C4D02120A Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції C4D02120A за ціною від 64.19 грн до 213.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C4D02120A | Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| C4D02120A |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 167pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.61 грн |
| 50+ | 101.94 грн |
| 100+ | 91.83 грн |
| 500+ | 69.54 грн |
| 1000+ | 64.19 грн |