CSD17313Q2
Код товару: 126922
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції CSD17313Q2 за ціною від 8.68 грн до 56.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 18464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T |
на замовлення 16255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17313Q2 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|