CY7C109D-10VXI Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
DigiKey Programmable: Not Verified
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Packaging: Tube
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 32-SOJ
Memory Organization: 128K x 8
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.28 грн |
| 23+ | 244.06 грн |
| 46+ | 238.43 грн |
| 69+ | 220.67 грн |
| 115+ | 216.77 грн |
| 253+ | 210.79 грн |
| 506+ | 202.21 грн |
| 1012+ | 197.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CY7C109D-10VXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції CY7C109D-10VXI за ціною від 119.13 грн до 458.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CY7C109D-10VXI | Infineon Technologies |
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CY7C109D-10VXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CY7C109D-10VXI | Cypress Semiconductor |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шткількість в упаковці: 23 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| CY7C109D-10VXI | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 325.72 грн |
| 10+ | 266.08 грн |
| 100+ | 222.93 грн |
| 250+ | 218.71 грн |
| 500+ | 203.24 грн |
| 1150+ | 199.02 грн |
| CY7C109D-10VXI | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY7C109D-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOJ-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 458.64 грн |
| 10+ | 422.54 грн |
| 25+ | 411.05 грн |
| 50+ | 375.60 грн |
| 100+ | 338.27 грн |
| 250+ | 328.42 грн |
| 500+ | 316.47 грн |
| CY7C109D-10VXI | ![]() |
![]() |
Виробник: Cypress Semiconductor
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 23 шт
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Мбайт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 23 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 139.00 грн |
| 115+ | 119.13 грн |




