| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.67 грн |
| 12+ | 28.75 грн |
| 100+ | 21.09 грн |
| 500+ | 18.29 грн |
| 1000+ | 15.64 грн |
| 2500+ | 14.18 грн |
| 5000+ | 12.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DB105-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB, Packaging: Tube, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції DB105-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DB105-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBPackaging: Tube Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: DB Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DB105G | Виробник : GI |
DIP-4 |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |


