DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated


ds31773.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
на замовлення 92500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.94 грн
5000+9.86 грн
7500+9.28 грн
12500+8.53 грн
17500+8.22 грн
25000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMN4468LSS-13 за ціною від 8.59 грн до 53.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN4468LSS-13 DMN4468LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31773.pdf Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
на замовлення 93306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.21 грн
12+27.38 грн
100+18.08 грн
500+13.69 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4468LSS-13 DMN4468LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31773.pdf MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.28 грн
10+32.60 грн
100+18.22 грн
500+13.90 грн
2500+13.06 грн
5000+9.50 грн
10000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.