DS1220AB-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2K x 8
Access Time: 150 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Supplier Device Package: 24-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1366.34 грн |
| 14+ | 1225.56 грн |
| 28+ | 1212.42 грн |
| 56+ | 1109.75 грн |
| 112+ | 974.19 грн |
| 252+ | 941.33 грн |
| 504+ | 900.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AB-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AB-150+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 150 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 150ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1220AB-150+ за ціною від 1187.10 грн до 1733.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1220AB-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DS1220AB-150+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AB-150+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 150 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DS1220AB-150 | DALLAS |
DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1220AB-150+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1725.44 грн |
| 10+ | 1556.83 грн |
| 28+ | 1320.01 грн |
| 56+ | 1287.66 грн |
| 112+ | 1255.31 грн |
| 252+ | 1218.04 грн |
| 504+ | 1187.10 грн |
| DS1220AB-150+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AB-150+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AB-150+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1733.64 грн |
| DS1220AB-150 |
|
Виробник: DALLAS
DIP-24 08+09+
DIP-24 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.