Технічний опис DS1220Y100 DALLAS
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 2K x 8, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Supplier Device Package: 24-EDIP, Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 16Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm), Packaging: Tube.
Інші пропозиції DS1220Y100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1220Y-100+ | DALLAS |
09+ |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| DS1220Y-100 | DALLAS | DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1220Y-100+ |
![]() |
Виробник: DALLAS
09+
09+
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DS1220Y-100 |
Виробник: DALLAS
DIP-24 08+09+
DIP-24 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


