Продукція > DALLAS > DS1220Y-100IND+

DS1220Y-100IND+ DALLAS


DS1220Y.pdf
Виробник: DALLAS
09+
на замовлення 448 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1220Y-100IND+ DALLAS

Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 2K x 8, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Supplier Device Package: 24-EDIP, Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 16Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm), Packaging: Tube.

Інші пропозиції DS1220Y-100IND+

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DS1220Y-100IND DALLAS DIP-24 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1220Y-100IND
Виробник: DALLAS
DIP-24 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.