DS1225AD-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2169.37 грн |
| 12+ | 1919.76 грн |
| 36+ | 1845.65 грн |
| 60+ | 1700.16 грн |
| 108+ | 1663.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AD-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 150ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1225AD-150+ за ціною від 1604.83 грн до 2322.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DS1225AD-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DS1225AD-150+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIPtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| DS1225AD-150 | DS |
10+ QFP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DS1225AD150 | DS | SOP-20 |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1225AD-150+ |
![]() |
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2275.97 грн |
| 12+ | 2061.49 грн |
| 24+ | 1723.68 грн |
| 60+ | 1691.33 грн |
| 504+ | 1604.83 грн |
| DS1225AD-150+ |
![]() |
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2322.74 грн |
| 12+ | 2134.03 грн |
| 36+ | 2051.98 грн |
| DS1225AD-150 |
![]() |
Виробник: DS
10+ QFP
10+ QFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DS1225AD150 |
Виробник: DS
SOP-20
SOP-20
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.



