DS1230Y-100+ Analog Devices / Maxim Integrated


DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2686.44 грн
12+2432.46 грн
24+2032.72 грн
60+1995.36 грн
108+1944.61 грн
252+1891.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230Y-100+ Analog Devices / Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 28Pin(s), Speichergröße: 256Kbit, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.

Інші пропозиції DS1230Y-100+ за ціною від 2201.16 грн до 3197.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf description Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2966.35 грн
12+2622.32 грн
36+2520.43 грн
60+2321.46 грн
108+2271.61 грн
252+2201.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ ANALOG DEVICES DS1230AB-DS1230Y.pdf description Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3197.91 грн
12+2935.60 грн
36+2821.30 грн
108+2515.93 грн
252+2275.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf description NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf description NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y100 DALLAS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf description DIP
на замовлення 19224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ description DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2966.35 грн
12+2622.32 грн
36+2520.43 грн
60+2321.46 грн
108+2271.61 грн
252+2201.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ description DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3197.91 грн
12+2935.60 грн
36+2821.30 грн
108+2515.93 грн
252+2275.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ description ds1230ab-ds1230y.pdf
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ description ds1230ab-ds1230y.pdf
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y100
Виробник: DALLAS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 description DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: DALLAS
DIP
на замовлення 19224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.