Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > DS1230Y-70
DS1230Y-70

DS1230Y-70

DS1230AB-DS1230Y.pdf
Код товару: 44640
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DS1230Y-70 за ціною від 1157.37 грн до 3040.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DS1230Y-70 DS1230Y-70 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1157.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+ DS1230Y-70+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2644.51 грн
12+2395.17 грн
24+2001.70 грн
60+1964.35 грн
108+1922.06 грн
252+1862.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+ DS1230Y-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2919.56 грн
12+2581.03 грн
36+2480.75 грн
60+2284.91 грн
108+2235.89 грн
252+2166.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+ DS1230Y-70+ ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3040.03 грн
12+2790.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70 DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70 DS1230AB-DS1230Y.pdf
DS1230Y-70
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+1157.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+ DS1230AB-DS1230Y.pdf
DS1230Y-70+
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2644.51 грн
12+2395.17 грн
24+2001.70 грн
60+1964.35 грн
108+1922.06 грн
252+1862.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+ DS1230AB-DS1230Y.pdf
DS1230Y-70+
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2919.56 грн
12+2581.03 грн
36+2480.75 грн
60+2284.91 грн
108+2235.89 грн
252+2166.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70+ datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal
DS1230Y-70+
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3040.03 грн
12+2790.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70 DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: DALLAS
DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.