Продукція > Мікросхеми > Пам'ять > DS1230Y-70IND

DS1230Y-70IND

DS1230AB-DS1230Y.pdf
Код товару: 128415
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Мікросхеми > Пам'ять

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DS1230Y-70IND за ціною від 1948.02 грн до 3916.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1230Y-70IND+ DS1230Y-70IND+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2775.63 грн
12+2567.76 грн
24+2147.74 грн
60+2106.25 грн
108+2015.53 грн
252+1948.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+ DS1230Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2993.76 грн
12+2646.64 грн
36+2543.75 грн
60+2342.93 грн
108+2292.63 грн
252+2221.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+ DS1230Y-70IND+ ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3916.90 грн
12+3621.53 грн
36+3504.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+ DS1230Y-70IND+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+ DS1230AB-DS1230Y.pdf
DS1230Y-70IND+
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2775.63 грн
12+2567.76 грн
24+2147.74 грн
60+2106.25 грн
108+2015.53 грн
252+1948.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+ DS1230AB-DS1230Y.pdf
DS1230Y-70IND+
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2993.76 грн
12+2646.64 грн
36+2543.75 грн
60+2342.93 грн
108+2292.63 грн
252+2221.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+ datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal
DS1230Y-70IND+
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3916.90 грн
12+3621.53 грн
36+3504.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND+ ds1230ab-ds1230y.pdf
DS1230Y-70IND+
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-70IND DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: DALLAS
DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.