Продукція > ANALOG DEVICES INC./MAXIM INTEGRATED > DS1245AB-120
DS1245AB-120

DS1245AB-120 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1245AB-DS1245Y.pdf
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+1836.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1245AB-120 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-120+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DS1245AB-120 за ціною від 2078.93 грн до 3826.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DS1245AB-120+ DS1245AB-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated ds1245ab-ds1245y.pdf Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3095.59 грн
11+2765.27 грн
33+2666.47 грн
55+2440.06 грн
110+2138.05 грн
253+2078.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-120+ DS1245AB-120+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1245AB_DS1245Y-3122077.pdf NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3459.40 грн
11+3281.10 грн
55+2605.74 грн
110+2573.32 грн
253+2572.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-120+ DS1245AB-120+ ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-120+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3826.15 грн
11+3522.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-120 DALLAS DS1245AB-DS1245Y.pdf DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-120+ ds1245ab-ds1245y.pdf
DS1245AB-120+
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3095.59 грн
11+2765.27 грн
33+2666.47 грн
55+2440.06 грн
110+2138.05 грн
253+2078.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-120+ DS1245AB_DS1245Y-3122077.pdf
DS1245AB-120+
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3459.40 грн
11+3281.10 грн
55+2605.74 грн
110+2573.32 грн
253+2572.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-120+ datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal
DS1245AB-120+
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-120+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3826.15 грн
11+3522.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-120 DS1245AB-DS1245Y.pdf
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.