DS1245W-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 150 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3032.53 грн |
| 11+ | 2708.14 грн |
| 33+ | 2611.45 грн |
| 55+ | 2389.70 грн |
| 110+ | 2093.93 грн |
| 253+ | 2036.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245W-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIP, tariffCode: 85423290, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 150ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1MB, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1245W-150+ за ціною від 2784.19 грн до 4107.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1245W-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DS1245W-150+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIP tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Speichergröße: 1MB Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| DS1245W-150 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1245W-150+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM
NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3839.78 грн |
| 11+ | 3483.26 грн |
| 22+ | 2910.78 грн |
| 55+ | 2856.63 грн |
| 110+ | 2784.19 грн |
| DS1245W-150+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1MB
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1245W-150+ - NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1MB
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4107.25 грн |
| DS1245W-150 |
|
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.