DS1245Y-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245Y-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1245Y-100 за ціною від 2411.15 грн до 4043.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DS1245Y-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DS1245Y-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIPPackaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DS1245Y-100+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIPtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| DS1245Y-100 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DS1245Y100 | DS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1245Y-100+ |
![]() |
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3208.93 грн |
| 11+ | 3023.36 грн |
| 22+ | 2447.46 грн |
| 55+ | 2411.84 грн |
| 110+ | 2411.15 грн |
| DS1245Y-100+ |
![]() |
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3637.14 грн |
| 11+ | 3224.33 грн |
| 33+ | 3098.76 грн |
| 55+ | 2854.10 грн |
| 110+ | 2781.87 грн |
| DS1245Y-100+ |
![]() |
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4043.13 грн |
| 11+ | 4042.32 грн |
| 33+ | 4041.50 грн |
| 110+ | 3174.13 грн |
| DS1245Y-100 |
![]() |
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DS1245Y100 |
Виробник: DS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



