DS1245Y-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3917.84 грн |
| 11+ | 3472.56 грн |
| 33+ | 3337.11 грн |
| 55+ | 3073.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245Y-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1245Y-70+ за ціною від 3222.32 грн до 4508.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1245Y-70+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DS1245Y-70+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DS1245Y-70 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| DS1245Y-70+ | Maxim |
1024K Nonvolatile SRAM DS1245 кількість в упаковці: 11 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1245Y-70+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4333.70 грн |
| 11+ | 3931.31 грн |
| 22+ | 3284.20 грн |
| 55+ | 3222.32 грн |
| DS1245Y-70+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 70 ns, DIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4508.46 грн |
| 11+ | 4148.27 грн |
| 33+ | 3985.82 грн |
| 110+ | 3631.03 грн |
| DS1245Y-70 |
|
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)