| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8353.16 грн |
| 11+ | 7412.95 грн |
| 22+ | 6304.69 грн |
| 55+ | 6230.14 грн |
| 110+ | 6034.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250AB-100IND+ Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 512K x 8, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Supplier Device Package: 32-EDIP, Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Packaging: Tube.
Інші пропозиції DS1250AB-100IND+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1250AB-100IND | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1250AB-100IND |
![]() |
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.


