DS1250Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Through Hole
DigiKey Programmable: Not Verified
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9847.60 грн |
| 11+ | 8704.19 грн |
| 33+ | 8358.37 грн |
| 55+ | 7696.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1250Y-70IND+ за ціною від 8616.29 грн до 11684.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1250Y-70IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DS1250Y-70IND+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DS1250Y-70IND | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1250Y-70IND+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11629.27 грн |
| 11+ | 10519.34 грн |
| 22+ | 8782.26 грн |
| 55+ | 8616.29 грн |
| DS1250Y-70IND+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1250Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 512K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11684.24 грн |
| 11+ | 10721.84 грн |
| DS1250Y-70IND |
|
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)