DTA114ESATP

DTA114ESATP Rohm Semiconductor


DTA114Ex%28A%29_RevB.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.05A SPT
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SPT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA114ESATP Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.05A SPT, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SPT, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: SC-72 Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB), Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції DTA114ESATP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DTA114ESATP Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_dta114ee-1201565.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 50MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114ESA-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) Bipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.