DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1171+ | 12.05 грн |
| 1914+ | 7.38 грн |
| 2728+ | 5.17 грн |
| 3530+ | 3.86 грн |
| 6000+ | 3.20 грн |
| 9000+ | 2.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123EUAT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTA123EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA123E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції DTA123EUAT106 за ціною від 5.02 грн до 20.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTA123EUAT106 | ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP 50V 100MA |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DTA123EUAT106 | ROHM |
Description: ROHM - DTA123EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DTA123EUAT106 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DTA123EUAT106 | Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 148 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA123EUA T106 | ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DTA123EUAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Digital Transistors PNP 50V 100MA
Digital Transistors PNP 50V 100MA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.51 грн |
| 35+ | 9.30 грн |
| DTA123EUAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA123EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ROHM - DTA123EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA123E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 15.51 грн |
| 87+ | 9.44 грн |
| 100+ | 8.86 грн |
| 500+ | 7.62 грн |
| 1000+ | 5.02 грн |
| DTA123EUAT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.57 грн |
| 20+ | 16.00 грн |
| 100+ | 8.49 грн |
| 500+ | 5.25 грн |
| DTA123EUAT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTA123EUA T106 |
Виробник: ROHM
SOT23/SOT323
SOT23/SOT323
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





