Інші пропозиції DTC143ZET1G за ціною від 1.49 грн до 39.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC143ZET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 50135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...200 |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 50135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DTC143ZET1G | ON-Semiconductor |
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1gкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьскількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DTC143ZET1G | On Semiconductor |
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Транзистори |
на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.13 грн |
| 1500+ | 2.48 грн |
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...200
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...200
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.12 грн |
| 69+ | 6.18 грн |
| 99+ | 4.30 грн |
| 116+ | 3.67 грн |
| 500+ | 2.65 грн |
| 1000+ | 2.33 грн |
| 3000+ | 1.86 грн |
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - DTC143ZET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 64+ | 12.88 грн |
| 115+ | 7.15 грн |
| 183+ | 4.50 грн |
| 500+ | 3.13 грн |
| 1500+ | 2.48 грн |
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 14.29 грн |
| 79+ | 9.54 грн |
| 87+ | 8.72 грн |
| 128+ | 5.70 грн |
| 250+ | 2.75 грн |
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g
кількість в упаковці: 500 шт
NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+47k DTC143ZET1G TDTC143zet1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.49 грн |
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.52 грн |
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Транзистори
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.00 грн |





