Продукція > ONSEMI > FCA47N60
FCA47N60

FCA47N60 onsemi

fca47n60_f109-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+894.01 грн
30+521.90 грн
120+447.61 грн
510+405.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCA47N60 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCA47N60 за ціною від 461.34 грн до 954.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCA47N60 FCA47N60 Виробник : onsemi fca47n60_f109-d.pdf MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+938.61 грн
10+628.39 грн
120+482.43 грн
510+461.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60 Виробник : ONSEMI fca47n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.27µC
Pulsed drain current: 141A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+954.47 грн
10+760.17 грн
30+661.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.