FCP11N60
Код товару: 62645
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FCP11N60 за ціною від 90.00 грн до 294.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP11N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 15890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCP11N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCP11N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCP11N60 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 600V 11A N-CH |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|