Інші пропозиції FCP16N60 за ціною від 112.31 грн до 354.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP16N60 | Виробник : ONSEMI |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCP16N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 1722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCP16N60 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FCP16N60 |
|
на замовлення 16663 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |