Продукція > ONSEMI > FDB047N10
FDB047N10

FDB047N10 onsemi

FDB047N10-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+130.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB047N10 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDB047N10 за ціною від 140.35 грн до 426.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+233.47 грн
100+214.57 грн
250+205.68 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi FDB047N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.52 грн
10+187.23 грн
100+154.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : onsemi FDB047N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.53 грн
10+227.25 грн
100+140.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 Виробник : ON Semiconductor fdb047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+426.43 грн
100+405.17 грн
500+383.91 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 Виробник : FSC FDB047N10-D.pdf TO263 10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.