Продукція > ONSEMI > FDB070AN06A0
FDB070AN06A0

FDB070AN06A0 onsemi

FDB070AN06A0-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+108.64 грн
1600+100.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB070AN06A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDB070AN06A0 за ціною від 96.35 грн до 298.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDB070AN06A0-D.pdf MOSFETs N-Channel PT 6V 8A 7mOhm
на замовлення 18746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.87 грн
10+110.80 грн
800+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 Виробник : ONSEMI FDB070AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 175W
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+218.79 грн
5+175.23 грн
10+158.30 грн
25+152.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 Виробник : onsemi FDB070AN06A0-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.27 грн
10+189.02 грн
100+133.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.