FDB3652 VBSemi
Код товару: 155755
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: VBSemi
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDB3652 за ціною від 66.99 грн до 209.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB3652 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDB3652 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 43mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 61A Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDB3652 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|