Інші пропозиції FDC3601N за ціною від 12.50 грн до 65.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 53490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.96W On-state resistance: 976mΩ Drain current: 1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V |
на замовлення 2879 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3601N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3601N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench |
на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 53490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6 Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |