Продукція > ONSEMI > FDC5614P
FDC5614P

FDC5614P onsemi

fdc5614p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.77 грн
6000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5614P onsemi

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 11.58 грн до 82.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.00 грн
9000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
733+19.35 грн
809+17.54 грн
875+16.21 грн
1000+15.10 грн
3000+13.18 грн
6000+12.30 грн
9000+11.62 грн
24000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 733
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.04 грн
6000+18.72 грн
9000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.04 грн
6000+18.72 грн
9000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+20.47 грн
40+19.35 грн
100+17.54 грн
500+15.63 грн
1000+13.98 грн
3000+12.65 грн
6000+12.30 грн
9000+11.62 грн
24000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 41800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1412+25.12 грн
10000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 1412
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
481+29.51 грн
1000+26.75 грн
3000+25.14 грн
6000+23.14 грн
9000+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 481
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.31 грн
500+21.63 грн
1500+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
297+47.88 грн
424+33.50 грн
535+26.50 грн
1000+23.28 грн
3000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 297
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI FDC5614P-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.84 грн
10+45.56 грн
11+40.01 грн
50+27.82 грн
100+23.79 грн
500+17.31 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.13 грн
10+41.53 грн
100+27.07 грн
500+19.54 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+72.60 грн
15+53.18 грн
100+35.34 грн
500+26.31 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.56 грн
10+44.89 грн
100+25.63 грн
500+20.18 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 105828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.28 грн
50+51.32 грн
100+33.48 грн
500+23.90 грн
1500+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.