Продукція > ONSEMI > FDC6303N
FDC6303N

FDC6303N onsemi

fdc6303n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.72 грн
6000+10.33 грн
9000+9.85 грн
15000+8.73 грн
21000+8.43 грн
30000+8.13 грн
75000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6303N onsemi

Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDC6303N за ціною від 9.00 грн до 57.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC6303N FDC6303N Виробник : ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 117577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.07 грн
500+14.93 грн
1500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6303N-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 28176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.39 грн
11+29.68 грн
100+17.30 грн
500+13.50 грн
1000+11.89 грн
3000+9.28 грн
6000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : onsemi fdc6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 157625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.84 грн
11+29.86 грн
100+19.24 грн
500+13.75 грн
1000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : onsemi fdc6303n-d.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 15673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.05 грн
10+33.81 грн
100+18.92 грн
500+14.49 грн
1000+13.01 грн
3000+10.34 грн
6000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N Виробник : ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 117577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.02 грн
50+32.33 грн
100+22.07 грн
500+14.93 грн
1500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.