FDC6306P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.87 грн |
| 6000+ | 13.17 грн |
| 9000+ | 12.58 грн |
| 15000+ | 11.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6306P onsemi
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDC6306P за ціною від 11.80 грн до 71.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC6306P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 20535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6306P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V |
на замовлення 15459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6306P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V |
на замовлення 16489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6306P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 29667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|