FDC6310P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6310P onsemi
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDC6310P за ціною від 12.92 грн до 68.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6310P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench |
на замовлення 4591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6310P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6 FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 700mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA |
на замовлення 5197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6310P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|